H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-UHC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NAFR-PBC от SK hynix и H5AN8G6NAFR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-UHC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,55 $5,74
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Тип интерфейса DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh Auto self-refresh
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Корпус TFBGA-96 (rectangular) FBGA-96
Number of Terminals 96 96
Тип монтажа Surface Mount —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +85°C
Статус RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) —
Composition CMOS —
Напряжение питания — 1.2 V
Скорость передачи данных — 2400 MT/s
Package Code — TFBGA
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes
RoHS Compliant — Yes
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену