H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NCJR-UHC von SK hynix und H5AN8G6NCJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $60,00
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) —
Versorgungsspannung 1.2 V —
Gehäuse FBGA-96 (96-ball) FBGA-96
Montageart Surface Mount (BGA) —
Betriebstemperatur 0C to +95C 0°C to +95°C
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] —
Datenrate — 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Operating Current (IDD2N) — 28 mA
Operating Current (IDD4R) — 45 mA
Burst Length — 8 (BC4)
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Address Bits — [DATA_NEEDED: Row Address Bits]
Column Address Bits — [DATA_NEEDED: Column Address Bits]
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
RoHS — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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