H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-VKC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NCJR-UHC от SK hynix и H5AN8G6NCJR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-VKC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $60,00
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) —
Напряжение питания 1.2 V —
Корпус FBGA-96 (96-ball) FBGA-96
Тип монтажа Surface Mount (BGA) —
Рабочая температура 0C to +95C 0°C to +95°C
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] —
Скорость передачи данных — 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Operating Current (IDD2N) — 28 mA
Operating Current (IDD4R) — 45 mA
Burst Length — 8 (BC4)
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Address Bits — [DATA_NEEDED: Row Address Bits]
Column Address Bits — [DATA_NEEDED: Column Address Bits]
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes
RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену