H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NCJR-UHC por SK hynix e H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $60,00
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) —
Tensão de alimentação 1.2 V —
Encapsulamento FBGA-96 (96-ball) FBGA-96
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) —
Temperatura de operação 0C to +95C 0°C to +95°C
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] —
Taxa de dados — 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Operating Current (IDD2N) — 28 mA
Operating Current (IDD4R) — 45 mA
Burst Length — 8 (BC4)
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Address Bits — [DATA_NEEDED: Row Address Bits]
Column Address Bits — [DATA_NEEDED: Column Address Bits]
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação