H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-UHC par SK hynix et H5AN8G6NCJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NCJR-UHC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $60,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-96 (96-ball) | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | 0°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per family datasheet) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] | — |
| Débit de données | — | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Burst Length | — | 8 (BC4) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |