H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G8NCJR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NCJR-VKI von SK hynix und H5AN8G8NCJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,85 $28,13
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Speichergröße 8 Gb 8 Gbit
Memory Organization 1G x8 1G x 8
Datenrate 2666 Mbps 2666 Mbps/pin
Versorgungsspannung 1.2 V —
Schnittstelle Parallel Parallel (DDR4)
Memory Format DRAM —
Volatile Yes —
Gehäuse FBGA-78 FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Grade Industrial (I suffix) —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature] 0C to +85C
Technology CMOS —
Product Family H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM —
Packaging Tray —
Product Status Active —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh period]

Datenblätter & Ressourcen

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