H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G8NCJR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-VKI por SK hynix y H5AN8G8NCJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NCJR-VKI | H5AN8G8NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,85 | $28,13 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile) |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 1G x8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | 2666 Mbps/pin |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel (DDR4) |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| Encapsulado | FBGA-78 | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | 0C to +85C |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) |
| Operating Current (typ) | — | 30 mA |
| Standby Current (typ) | — | 3 mA |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh period] |