H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G8NCJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-VKI par SK hynix et H5AN8G8NCJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,85 $28,13
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Taille de mémoire 8 Gb 8 Gbit
Memory Organization 1G x8 1G x 8
Débit de données 2666 Mbps 2666 Mbps/pin
Tension d'alimentation 1.2 V —
Interface Parallel Parallel (DDR4)
Memory Format DRAM —
Volatile Yes —
Boîtier FBGA-78 FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Grade Industrial (I suffix) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature] 0C to +85C
Technology CMOS —
Product Family H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM —
Packaging Tray —
Product Status Active —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh period]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis