H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G8NCJR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NCJR-VKI por SK hynix e H5AN8G8NCJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,85 $28,13
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Tamanho da memória 8 Gb 8 Gbit
Memory Organization 1G x8 1G x 8
Taxa de dados 2666 Mbps 2666 Mbps/pin
Tensão de alimentação 1.2 V —
Interface Parallel Parallel (DDR4)
Memory Format DRAM —
Volatile Yes —
Encapsulamento FBGA-78 FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Grade Industrial (I suffix) —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating Temperature] 0C to +85C
Technology CMOS —
Product Family H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM —
Packaging Tray —
Product Status Active —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh period]

Fichas técnicas e recursos

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