H5ANAG4NBJR-UHC vs H5ANAG6NBJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG4NBJR-UHC von SK hynix und H5ANAG6NBJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG4NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DRAM DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,09 $8,09
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Speicherorganisation 256M x16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Clock / Data Rate 1.6 GHz —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA)
Betriebstemperatur -40C to +95C -40C to +95C
Schnittstelle CMOS, DDR4 (double data rate) DDR4 (CMOS)
Data Mask (DM) Yes —
Asynchronous Reset Yes Supported
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Supported
Write Leveling Yes Supported
CRC Function Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Montageart Surface Mount (BGA) —
RoHS-Status Compliant RoHS Compliant
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Package Dimensions — 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96)
Access Mode — Multi Bank, Page Burst
Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask — Supported (DM function)
On-Chip Termination — Dynamic ODT
CRC — Supported
Supply Voltage Class — DDR4 (1.2 V class)
REACH Compliance — Compliant
ECCN — EAR99
HTS Code — 8542.32.00.36
Max Data Rate — [DATA_NEEDED: Max Data Rate]

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