H5ANAG4NBJR-UHC vs H5ANAG6NBJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG4NBJR-UHC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG4NBJR-UHC | H5ANAG6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | DRAM | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,09 | $8,09 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Clock / Data Rate | 1.6 GHz | — |
| Boîtier | FBGA-96 (PBGA96) | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | -40C to +95C |
| Interface | CMOS, DDR4 (double data rate) | DDR4 (CMOS) |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Supported |
| On-Die Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| Write Leveling | Yes | Supported |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | — |
| Statut RoHS | Compliant | RoHS Compliant |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Package Dimensions | — | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) |
| Access Mode | — | Multi Bank, Page Burst |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| Data Mask | — | Supported (DM function) |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| CRC | — | Supported |
| Supply Voltage Class | — | DDR4 (1.2 V class) |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| HTS Code | — | 8542.32.00.36 |
| Max Data Rate | — | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] |