H5ANAG4NBJR-UHC vs H5ANAG6NBJR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG4NBJR-UHC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG4NBJR-UHC | H5ANAG6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | DRAM | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,09 | $8,09 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Clock / Data Rate | 1.6 GHz | — |
| Encapsulado | FBGA-96 (PBGA96) | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C | -40C to +95C |
| Interfaz | CMOS, DDR4 (double data rate) | DDR4 (CMOS) |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Supported |
| On-Die Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| Write Leveling | Yes | Supported |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | — |
| Estado RoHS | Compliant | RoHS Compliant |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Package Dimensions | — | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) |
| Access Mode | — | Multi Bank, Page Burst |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| Data Mask | — | Supported (DM function) |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| CRC | — | Supported |
| Supply Voltage Class | — | DDR4 (1.2 V class) |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| HTS Code | — | 8542.32.00.36 |
| Max Data Rate | — | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] |