H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NAMR-UHC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCJR-XNC von SK hynix und H5ANAG6NAMR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NAMR-UHC |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $84,97 | $4,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps/pin | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder ball) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Speicherorganisation | — | 1G x 16 |
| Speed Grade / Data Rate | — | DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Architecture | — | CMOS DDR4 with bank groups |
| Power Class | — | Normal Power |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] |
| Schnittstellentyp | — | Parallel, synchronous, double data rate |
| Available Speed Bins (family) | — | PB / RD / TF / UH / VK |
| Application Class | — | Main memory, embedded, industrial |
| Lebenszyklusstatus | — | Active production |