H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix e H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NAMR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $84,97 $4,50
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 16 Gbit —
Memory Organization 1G x 16 —
Taxa de dados 3200 Mbps/pin —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) —
Interface Parallel —
Encapsulamento FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Packaging Tray —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Organização da memória — 1G x 16
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Tipo de interface — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Status do ciclo de vida — Active production

Fichas técnicas e recursos

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