H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NAMR-UHC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5ANAG6NCJR-XNC от SK hynix и H5ANAG6NAMR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NAMR-UHC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $84,97 | $4,50 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 16 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps/pin | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Корпус | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder ball) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Статус RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Организация памяти | — | 1G x 16 |
| Speed Grade / Data Rate | — | DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Architecture | — | CMOS DDR4 with bank groups |
| Power Class | — | Normal Power |
| Рабочая температура | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] |
| Тип интерфейса | — | Parallel, synchronous, double data rate |
| Available Speed Bins (family) | — | PB / RD / TF / UH / VK |
| Application Class | — | Main memory, embedded, industrial |
| Статус жизненного цикла | — | Active production |