H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCJR-XNC par SK hynix et H5ANAG6NAMR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NAMR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $84,97 $4,50
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gbit —
Memory Organization 1G x 16 —
Débit de données 3200 Mbps/pin —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) —
Interface Parallel —
Boîtier FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Packaging Tray —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Organisation de la mémoire — 1G x 16
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Type d'interface — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Statut du cycle de vie — Active production

Fiches techniques et ressources

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