H5ANAG6NCMR-XNI vs H5ANAG6NCJR-XN Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCMR-XNI von SK hynix und H5ANAG6NCJR-XN von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCJR-XN
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,95 $71,20
Speichertyp DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Speichergröße 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Datenrate 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) 3200 Mbps/pin (DDR4-3200)
Versorgungsspannung 1.2 V —
Technology CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM —
Power Class Normal Power —
Gehäuse FBGA-96 FBGA-96 (96-ball)
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA)
Schnittstelle Parallel (DDR4) —
Product Status Active —
Application Domain Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics —
Memory Format DRAM —
Speed Bin Family UH/VK/WM/XN —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
VPP Supply Voltage [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Density — 16 Gbit (1G x 16)
Speicherorganisation — 1G x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Package Width — 8 mm
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC (Command/Address) — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — 0.074 A (per Vyrian listing)
RoHS-Status — Compliant
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade]

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