H5ANAG6NCMR-XNI vs H5ANAG6NCJR-XN Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCMR-XNI por SK hynix y H5ANAG6NCJR-XN por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCJR-XN
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,95 $71,20
Tipo de memoria DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Velocidad de datos 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) 3200 Mbps/pin (DDR4-3200)
Tensión de alimentación 1.2 V —
Technology CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM —
Power Class Normal Power —
Encapsulado FBGA-96 FBGA-96 (96-ball)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA)
Interfaz Parallel (DDR4) —
Product Status Active —
Application Domain Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics —
Memory Format DRAM —
Speed Bin Family UH/VK/WM/XN —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
VPP Supply Voltage [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Density — 16 Gbit (1G x 16)
Organización de memoria — 1G x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Package Width — 8 mm
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC (Command/Address) — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — 0.074 A (per Vyrian listing)
Estado RoHS — Compliant
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade]

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