H5ANAG6NCMR-XNI vs H5ANAG6NCJR-XN 比較
詳細な並列比較: H5ANAG6NCMR-XNI メーカー: SK hynix および H5ANAG6NCJR-XN メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5ANAG6NCMR-XNI | H5ANAG6NCJR-XN |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.95 | $71.20 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| データレート | 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| パッケージ | FBGA-96 | FBGA-96 (96-ball) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| インターフェース | Parallel (DDR4) | — |
| Product Status | Active | — |
| Application Domain | Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Speed Bin Family | UH/VK/WM/XN | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| VPP Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 16 Gbit (1G x 16) |
| メモリ構成 | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Package Width | — | 8 mm |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC (Command/Address) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Maximum Standby Current | — | 0.074 A (per Vyrian listing) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] |