H5ANAG8NCMR-XNI vs MT40A2G8AG-062E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NCMR-XNI von SK hynix und MT40A2G8AG-062E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ Aktiv
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NCMR-XNI MT40A2G8AG-062E
Marke SK hynix Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,15 $9,75
Speichertyp Volatile (DRAM) DDR4 SDRAM
Memory Format DDR4 SDRAM —
Speichergröße 16 Gb —
Memory Organization x8 —
Schnittstelle Parallel —
Datenrate 3200 Mbps (DDR4-3200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Gehäuse FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Product Status Active —
Manufacturer SK Hynix —
Technology CMOS DDR4 SDRAM —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 16 Gbit
Speicherorganisation — 2G x 8
Speed — DDR4-3200 (3200 MT/s)
Clock Frequency — 1600 MHz
Access Time (Clock Cycle Time) — 0.625 ns (tCK)
CAS-Latenz — CL22 (DDR4-3200)
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD — 1.2 V
I/O Interface — POD12 (1.2 V pseudo-open drain)
VPP Voltage — 2.5 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +95C (per Micron grade table)
Die Revision — AG (current generation)

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