H5ANAG8NCMR-XNI vs MT40A2G8AG-062E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCMR-XNI par SK hynix et MT40A2G8AG-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ Actif
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NCMR-XNI MT40A2G8AG-062E
Marque SK hynix Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,15 $9,75
Type de mémoire Volatile (DRAM) DDR4 SDRAM
Memory Format DDR4 SDRAM —
Taille de mémoire 16 Gb —
Memory Organization x8 —
Interface Parallel —
Débit de données 3200 Mbps (DDR4-3200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Boîtier FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Product Status Active —
Manufacturer SK Hynix —
Technology CMOS DDR4 SDRAM —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 16 Gbit
Organisation de la mémoire — 2G x 8
Speed — DDR4-3200 (3200 MT/s)
Clock Frequency — 1600 MHz
Access Time (Clock Cycle Time) — 0.625 ns (tCK)
Latence CAS — CL22 (DDR4-3200)
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD — 1.2 V
I/O Interface — POD12 (1.2 V pseudo-open drain)
VPP Voltage — 2.5 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +95C (per Micron grade table)
Die Revision — AG (current generation)

Fiches techniques et ressources

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