H5ANAG8NCMR-XNI vs MT40A2G8AG-062E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5ANAG8NCMR-XNI от SK hynix и MT40A2G8AG-062E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ Активен
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5ANAG8NCMR-XNI MT40A2G8AG-062E
Бренд SK hynix Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,15 $9,75
Тип памяти Volatile (DRAM) DDR4 SDRAM
Memory Format DDR4 SDRAM —
Размер памяти 16 Gb —
Memory Organization x8 —
Интерфейс Parallel —
Скорость передачи данных 3200 Mbps (DDR4-3200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Корпус FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Product Status Active —
Manufacturer SK Hynix —
Technology CMOS DDR4 SDRAM —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 16 Gbit
Организация памяти — 2G x 8
Speed — DDR4-3200 (3200 MT/s)
Clock Frequency — 1600 MHz
Access Time (Clock Cycle Time) — 0.625 ns (tCK)
Задержка CAS — CL22 (DDR4-3200)
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD — 1.2 V
I/O Interface — POD12 (1.2 V pseudo-open drain)
VPP Voltage — 2.5 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +95C (per Micron grade table)
Die Revision — AG (current generation)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену