H5ANAG8NCMR-XNI vs MT40A2G8AG-062E 比較

詳細な並列比較: H5ANAG8NCMR-XNI メーカー: SK hynix および MT40A2G8AG-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG8NCMR-XNI MT40A2G8AG-062E
ブランド SK hynix Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.15 $9.75
メモリタイプ Volatile (DRAM) DDR4 SDRAM
Memory Format DDR4 SDRAM —
メモリサイズ 16 Gb —
Memory Organization x8 —
インターフェース Parallel —
データレート 3200 Mbps (DDR4-3200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Product Status Active —
Manufacturer SK Hynix —
Technology CMOS DDR4 SDRAM —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 16 Gbit
メモリ構成 — 2G x 8
Speed — DDR4-3200 (3200 MT/s)
Clock Frequency — 1600 MHz
Access Time (Clock Cycle Time) — 0.625 ns (tCK)
CASレイテンシ — CL22 (DDR4-3200)
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD — 1.2 V
I/O Interface — POD12 (1.2 V pseudo-open drain)
VPP Voltage — 2.5 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +95C (per Micron grade table)
Die Revision — AG (current generation)

データシート&リソース

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