H5TC4G63AFR-PBA vs IS43TR16256AL-107MBLI Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63AFR-PBA von SK hynix und IS43TR16256AL-107MBLI von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | H5TC4G63AFR-PBA | IS43TR16256AL-107MBLI |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,98 | $2,00 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| Datenrate | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | — |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| Schnittstelle | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Speichergröße | — | 4 Gbit |
| Clock Speed | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Versorgungsspannung | — | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Gehäuse / Bauform | — | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Memory Interface | — | Parallel |