H5TC4G63AFR-PBA vs IS43TR16256AL-107MBLI Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix e IS43TR16256AL-107MBLI por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Ativo
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5TC4G63AFR-PBA IS43TR16256AL-107MBLI
Marca SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,98 $2,00
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V —
Taxa de dados 1866 Mbps (PC3L-14900) 1866 Mbps
Encapsulamento 96-ball FBGA —
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 8
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 and 4
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
Faixa de temperatura de operação 0°C to +95°C (Tcase) —
Interface 16-bit I/O —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Partial Array Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Tamanho da memória — 4 Gbit
Clock Speed — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Tensão de alimentação — 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Encapsulamento / Caixa — 96-TWBGA (9x13mm)
Tipo de montagem — Surface Mount
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
On-Die Termination — Yes
Status RoHS — Compliant
Memory Interface — Parallel

Fichas técnicas e recursos

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