H5TC4G63AFR-PBA vs IS43TR16256AL-107MBLI 比較

詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-PBA メーカー: SK hynix および IS43TR16256AL-107MBLI メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ 生産中
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5TC4G63AFR-PBA IS43TR16256AL-107MBLI
ブランド SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.98 $2.00
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V —
データレート 1866 Mbps (PC3L-14900) 1866 Mbps
パッケージ 96-ball FBGA —
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 8
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 and 4
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
動作温度範囲 0°C to +95°C (Tcase) —
インターフェース 16-bit I/O —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Partial Array Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
メモリサイズ — 4 Gbit
Clock Speed — 933 MHz
Access Time — 20 ns
電源電圧 — 1.35V (backward compatible to 1.5V)
パッケージ / ケース — 96-TWBGA (9x13mm)
実装タイプ — Surface Mount
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
On-Die Termination — Yes
RoHS ステータス — Compliant
Memory Interface — Parallel

データシート&リソース

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