H5TC4G63AFR-PBA vs IS43TR16256AL-107MBLI Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix y IS43TR16256AL-107MBLI por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | H5TC4G63AFR-PBA | IS43TR16256AL-107MBLI |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,98 | $2,00 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | — |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| Interfaz | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gbit |
| Clock Speed | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Tensión de alimentación | — | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Encapsulado / Carcasa | — | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Memory Interface | — | Parallel |