H5TC4G63AFR-PBA vs IS43TR16256AL-107MBLI Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix et IS43TR16256AL-107MBLI par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Actif
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63AFR-PBA IS43TR16256AL-107MBLI
Marque SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,98 $2,00
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V —
Débit de données 1866 Mbps (PC3L-14900) 1866 Mbps
Boîtier 96-ball FBGA —
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 8
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 and 4
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
Plage de température de fonctionnement 0°C to +95°C (Tcase) —
Interface 16-bit I/O —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Partial Array Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Taille de mémoire — 4 Gbit
Clock Speed — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Tension d'alimentation — 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Boîtier / Format — 96-TWBGA (9x13mm)
Type de montage — Surface Mount
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
On-Die Termination — Yes
Statut RoHS — Compliant
Memory Interface — Parallel

Fiches techniques et ressources

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