H5TC4G63AFR-PBI vs IS43TR16256AL-125KBLI-TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63AFR-PBI von SK hynix und IS43TR16256AL-125KBLI-TR von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63AFR-PBI IS43TR16256AL-125KBLI-TR
Marke SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Obsolete Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $8,25
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speicherorganisation 256M x 16 —
Total Memory Size 4 Gb —
Datenrate DDR3-1600 (PC3L-12800) 1600 Mbps
Versorgungsspannung 1.35 V —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) 8
CAS-Latenz Programmable 11
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +95°C -40°C to +95°C (TC)
Gehäuse 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-TWBGA (9x13 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 96 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Speichergröße — 4Gbit (256M x 16)
Datenbusbreite — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V ± 0.1V, -0.067V
Backward Compatible Voltage — 1.5V
Row Cycle Time (tRC) — 20 ns
Row Active Time (tRAS) — 20 ns
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh

Datenblätter & Ressourcen

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