H5TC4G63AFR-PBI vs IS43TR16256AL-125KBLI-TR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5TC4G63AFR-PBI от SK hynix и IS43TR16256AL-125KBLI-TR от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5TC4G63AFR-PBI IS43TR16256AL-125KBLI-TR
Бренд SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Obsolete Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,50 $8,25
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Организация памяти 256M x 16 —
Total Memory Size 4 Gb —
Скорость передачи данных DDR3-1600 (PC3L-12800) 1600 Mbps
Напряжение питания 1.35 V —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) 8
Задержка CAS Programmable 11
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Диапазон рабочих температур -40°C to +95°C -40°C to +95°C (TC)
Корпус 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-TWBGA (9x13 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 96 —
Статус RoHS Compliant Compliant
Размер памяти — 4Gbit (256M x 16)
Разрядность шины данных — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V ± 0.1V, -0.067V
Backward Compatible Voltage — 1.5V
Row Cycle Time (tRC) — 20 ns
Row Active Time (tRAS) — 20 ns
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену