H5TC4G63AFR-PBI vs IS43TR16256AL-125KBLI-TR 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63AFR-PBI 제조: SK hynix 및 IS43TR16256AL-125KBLI-TR 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5TC4G63AFR-PBI IS43TR16256AL-125KBLI-TR
브랜드 SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 Obsolete 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $8.25
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 구성 256M x 16 —
Total Memory Size 4 Gb —
데이터 속도 DDR3-1600 (PC3L-12800) 1600 Mbps
공급 전압 1.35 V —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) 8
CAS 레이턴시 Programmable 11
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
동작 온도 범위 -40°C to +95°C -40°C to +95°C (TC)
패키지 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-TWBGA (9x13 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 96 —
RoHS 상태 Compliant Compliant
메모리 크기 — 4Gbit (256M x 16)
데이터 버스 폭 — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V ± 0.1V, -0.067V
Backward Compatible Voltage — 1.5V
Row Cycle Time (tRC) — 20 ns
Row Active Time (tRAS) — 20 ns
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh

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