H5TC4G63CFR-H9A vs W634GU6RB-11TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63CFR-H9A von SK hynix und W634GU6RB-11TR von Winbond. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Aktiv
Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63CFR-H9A W634GU6RB-11TR
Marke SK hynix Winbond
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $32,00
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Memory Density 4Gb (4294967296 bit) —
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Gehäuse 96-ball TFBGA 96-VFBGA (7.5x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
Datenrate [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] 1866 MT/s
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency] 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Differential Clock Inputs Yes (CK, CK) —
Differential Data Strobe Yes (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
DM (Data Mask) Yes —
Speichergröße — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Versorgungsspannung — 1.35V (1.5V compatible)
Schnittstelle — Parallel
Betriebstemperatur — -40°C to +95°C
Montageart — Surface Mount
Halogenfrei — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern