H5TC4G63CFR-H9A vs W634GU6RB-11TR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5TC4G63CFR-H9A por SK hynix e W634GU6RB-11TR por Winbond. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Ativo
Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5TC4G63CFR-H9A W634GU6RB-11TR
Marca SK hynix Winbond
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,50 $32,00
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Memory Density 4Gb (4294967296 bit) —
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Encapsulamento 96-ball TFBGA 96-VFBGA (7.5x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Taxa de dados [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] 1866 MT/s
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Differential Clock Inputs Yes (CK, CK) —
Differential Data Strobe Yes (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
DM (Data Mask) Yes —
Tamanho da memória — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Tensão de alimentação — 1.35V (1.5V compatible)
Interface — Parallel
Temperatura de operação — -40°C to +95°C
Tipo de montagem — Surface Mount
Livre de halogênio — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes

Fichas técnicas e recursos

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