H5TC4G63CFR-H9A vs W634GU6RB-11TR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-H9A par SK hynix et W634GU6RB-11TR par Winbond. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Actif
Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63CFR-H9A W634GU6RB-11TR
Marque SK hynix Winbond
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,50 $32,00
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Memory Density 4Gb (4294967296 bit) —
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Boîtier 96-ball TFBGA 96-VFBGA (7.5x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
Débit de données [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] 1866 MT/s
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Differential Clock Inputs Yes (CK, CK) —
Differential Data Strobe Yes (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
DM (Data Mask) Yes —
Taille de mémoire — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Tension d'alimentation — 1.35V (1.5V compatible)
Interface — Parallel
Température de fonctionnement — -40°C to +95°C
Type de montage — Surface Mount
Sans halogène — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes

Fiches techniques et ressources

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