H5TC4G63CFR-H9A vs W634GU6RB-11TR 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63CFR-H9A 제조: SK hynix 및 W634GU6RB-11TR 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ 활성
Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5TC4G63CFR-H9A W634GU6RB-11TR
브랜드 SK hynix Winbond
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $32.00
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Memory Density 4Gb (4294967296 bit) —
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
패키지 96-ball TFBGA 96-VFBGA (7.5x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
할로겐 프리 Yes —
데이터 속도 [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] 1866 MT/s
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency] 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Differential Clock Inputs Yes (CK, CK) —
Differential Data Strobe Yes (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
DM (Data Mask) Yes —
메모리 크기 — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
공급 전압 — 1.35V (1.5V compatible)
인터페이스 — Parallel
동작 온도 — -40°C to +95°C
실장 유형 — Surface Mount
할로겐 프리 — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes

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