H5TC4G63CFR-H9J vs IS43TR16256AL-125KBLI-TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63CFR-H9J von SK hynix und IS43TR16256AL-125KBLI-TR von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63CFR-H9J IS43TR16256AL-125KBLI-TR
Marke SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,00 $8,25
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Speicherorganisation 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V 1.35V ± 0.1V, -0.067V
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) —
Gehäuse 96-ball TFBGA 96-TWBGA (9x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
RoHS Compliant Yes —
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Speichergröße — 4Gbit (256M x 16)
Datenbusbreite — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Datenrate — 1600 Mbps
CAS-Latenz — 11
Backward Compatible Voltage — 1.5V
Row Cycle Time (tRC) — 20 ns
Row Active Time (tRAS) — 20 ns
Betriebstemperaturbereich — -40°C to +95°C (TC)
Montageart — Surface Mount
Burst Length — 8
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh
RoHS-Status — Compliant

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