H5TC4G63CFR-H9J vs IS43TR16256AL-125KBLI-TR Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63CFR-H9J por SK hynix y IS43TR16256AL-125KBLI-TR por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5TC4G63CFR-H9J IS43TR16256AL-125KBLI-TR
Marca SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,00 $8,25
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Organización de memoria 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V 1.35V ± 0.1V, -0.067V
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) —
Encapsulado 96-ball TFBGA 96-TWBGA (9x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes —
RoHS Compliant Yes —
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Tamaño de memoria — 4Gbit (256M x 16)
Ancho del bus de datos — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Velocidad de datos — 1600 Mbps
Latencia CAS — 11
Backward Compatible Voltage — 1.5V
Row Cycle Time (tRC) — 20 ns
Row Active Time (tRAS) — 20 ns
Rango de temperatura de funcionamiento — -40°C to +95°C (TC)
Tipo de montaje — Surface Mount
Burst Length — 8
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh
Estado RoHS — Compliant

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