H5TC4G63CFR-H9J vs IS43TR16256AL-125KBLI-TR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-H9J par SK hynix et IS43TR16256AL-125KBLI-TR par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63CFR-H9J IS43TR16256AL-125KBLI-TR
Marque SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,00 $8,25
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Organisation de la mémoire 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V 1.35V ± 0.1V, -0.067V
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) —
Boîtier 96-ball TFBGA 96-TWBGA (9x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
RoHS Compliant Yes —
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Taille de mémoire — 4Gbit (256M x 16)
Largeur du bus de données — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Débit de données — 1600 Mbps
Latence CAS — 11
Backward Compatible Voltage — 1.5V
Row Cycle Time (tRC) — 20 ns
Row Active Time (tRAS) — 20 ns
Plage de température de fonctionnement — -40°C to +95°C (TC)
Type de montage — Surface Mount
Burst Length — 8
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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