H5TC4G63CFR-H9J vs IS43TR16256AL-125KBLI-TR 비교
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | H5TC4G63CFR-H9J | IS43TR16256AL-125KBLI-TR |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.00 | $8.25 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V +0.100/-0.067V | 1.35V ± 0.1V, -0.067V |
| Speed Grade | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) | — |
| 패키지 | 96-ball TFBGA | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| 데이터 속도 | — | 1600 Mbps |
| CAS 레이턴시 | — | 11 |
| Backward Compatible Voltage | — | 1.5V |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 20 ns |
| Row Active Time (tRAS) | — | 20 ns |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C (TC) |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| RoHS 상태 | — | Compliant |