IAUC120N06S5L011ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC120N06S5L011ATMA1 von Infineon und ISC080N10NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC120N06S5L011ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,10 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 60 V (S5 generation) OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) 310 A (Tj), 120 A marketing —
R_DS(on) max [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 188 W at T_C = 25 °C —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

Datenblätter & Ressourcen

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