IAUC120N06S5L011ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5L011ATMA1 par Infineon et ISC080N10NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N06S5L011ATMA1 | ISC080N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,10 | $1,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 60 V (S5 generation) | OptiMOS™ 6 100V |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | [DATA_NEEDED: max V_GS rating] | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 310 A (Tj), 120 A marketing | — |
| R_DS(on) max | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 188 W at T_C = 25 °C | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 75 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | — | 8.05 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V at 36 µA |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) |