IAUC120N06S5L011ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC120N06S5L011ATMA1 por Infineon e ISC080N10NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC120N06S5L011ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,10 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 60 V (S5 generation) OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) 310 A (Tj), 120 A marketing —
R_DS(on) max [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 188 W at T_C = 25 °C —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

Fichas técnicas e recursos

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