IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7L006ATMA1 von Infineon und IAUCN04S7N009ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Aktiv
Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,38 $1,55
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A 175 A
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench MOSFET (Metal Oxide)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Pin-Anzahl 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
Betriebstemperatur — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
MSL-Level — 1
Configuration — Single N-Channel
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

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