IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7L006ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N009ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,38 $1,55
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A 175 A
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench MOSFET (Metal Oxide)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Nombre de broches 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
Température de fonctionnement — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Niveau MSL — 1
Configuration — Single N-Channel
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

Fiches techniques et ressources

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