IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7L006ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7N009ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,38 $1,55
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A 175 A
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C —
Корпус PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench MOSFET (Metal Oxide)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Число выводов 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
Рабочая температура — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Уровень MSL — 1
Configuration — Single N-Channel
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену