IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7L009ATMA1 von Infineon und IAUCN04S7N019GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7L009ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,96 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7L009ATMA1 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS™ 7 (trench-gate) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) 275 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) 175 A —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 129 W —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 0.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per family datasheet)
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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