IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7L009ATMA1 por Infineon y IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7L009ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,96 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7L009ATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS™ 7 (trench-gate) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) 275 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) 175 A —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 129 W —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 0.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Encapsulado PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per family datasheet)
Nivel MSL 1 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

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