IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 비교
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Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IAUCN04S7L009ATMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.96 | $0.82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7L009ATMA1 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench-gate) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) | 275 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) | 175 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) | 129 W | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 0.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C (Tj) | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Lead-Free | — | Yes |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |