IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7N019GATMA1 von Infineon und IAUA180N04S5N012AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7N019GATMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Gehäuse PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm²
Montageart Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55 °C to +175 °C (Tj)
Part Number — IAUA180N04S5N012AUMA1
Series — OptiMOS-5 40 V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 180 A (Tc)
Maximum Power Dissipation (PD) — 125 W (Tc)
R_DS(on) (max) — 1.2 mΩ at 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Technology — OptiMOS-5 Trench

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