IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7N019GATMA1 от Infineon и IAUA180N04S5N012AUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon

IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon

IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7N019GATMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,82 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Корпус PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm²
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55 °C to +175 °C (Tj)
Part Number — IAUA180N04S5N012AUMA1
Series — OptiMOS-5 40 V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 180 A (Tc)
Maximum Power Dissipation (PD) — 125 W (Tc)
R_DS(on) (max) — 1.2 mΩ at 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Technology — OptiMOS-5 Trench

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену